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特性阻抗电缆局域网布线忌讳

  特性阻抗是指当电缆无限长时该电缆所具有的阻抗,是阻止电流通过导体的一种电阻名称,它不是常规意义上的直流电阻。一条电缆的特性阻抗是由电缆的电导率、博狗德州扑克官网,电容以及阻值组合后的综合特性。假设一根均匀电缆无限延伸,在发射端的在某一频率下的阻抗称为“特性阻抗”(CharacteristicImpedance)。这些参数是由诸如导体尺寸、导体间的距离以及电缆绝缘材料特性等物理参数决定的。测量特性阻抗时,可在电缆的另一端用特性阻抗的等值电阻终接,其测量结果会跟输入信号的频率有关。考试大,特性阻抗的测量单位为欧姆。在高频段频率不断提高时,特性阻抗会渐近于固定值。例如同轴线欧姆;而常用非屏蔽双绞线欧姆,屏蔽双绞线欧姆。

  Examda提示:正常的物理运行依靠整个系统电缆与连接器件具有的恒定的特性阻抗。特性阻抗通常可以由电缆的连接和端结而造成轻微的改变。电缆的硬转弯或纽结也会改变电缆的特性阻抗。在不连续较轻的情况下,由于反射的信号微弱而且又经过电缆的衰减,所以对网络来说仍然能运行。大的阻抗不连续将会干扰数据传输。这类的不连续是由不良的电气连接、不正确的电缆端结、不匹配的电缆和不匹配的连接器的使用以及电缆中双绞电缆对的绞结方式错误而造成的。

  在综合布线系统中,有很多忌讳,如:双绞线如果断开,是不可以直接直接连接在一起的,拉力不可过大,对于非屏蔽线倍的线缆外径,千万不要混用特性阻抗不同的电缆等等,这些都会导致特性阻抗的改变,在验收测试中,就表现为回波损耗测试参数较低。

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关于陶瓷电容你不知道的一些事(阻抗频率特性与失效模式分析

  1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容器。30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容器。

  1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。而陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,成为电子设备中不可缺少的零部件。现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。

  陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出陶瓷电容器领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

  由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百F),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。

  陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器;按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器;按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。

  陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。

  Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频陶瓷电容器(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器。它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿。

  Ⅱ类陶瓷电容器(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频陶瓷电容器(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

  按美国电工协会(EIA)标准为C0G(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为COG)或NP0(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为NPO)以及我国标准的CC系列等型号的陶瓷介质(温度系数为030PPM/℃),这种介质极其稳定,温度系数极低,而且不会出现老化现象,损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响,介电系数可以达到400,介电强度相对高。这种介质非常适用于高频(特别是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线发射等应用的高频功率电容器)、超高频和对电容量、稳定性有严格要求定时、振荡电路的工作环境,这种介质电容器唯一的缺点是电容量不能做得很大(由于介电系数相对小),通常1206表面贴装C0G介质电容器的电容量从0.5PF~0.01F。

  Ⅱ类的稳定级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的X7R、X5R以及我国标准的CT系列等型号的陶瓷介质(温度系数为15.0%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到1200),因而电容量可以做得比较大,适用于对工作环境温度要求较高(X7R:-55~+125℃)的耦合、旁路和滤波。通常1206的SMD封装的电容量可以达到10F或在再高一些;

  II类的可用级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的Z5U、Y5V以及我国标准的CT系列的低档产品型号等陶瓷介质(温度系数为Z5U的+22%,-56%和Y5V的+22%,-82%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到1000~12000),因而电容量可以做得比更大,适用于一般工作环境温度要求(-25~+85℃)的耦合、旁路和滤波。通常1206表面贴装Z5U、Y5V介质电容器量甚至可以达到100F,在某种意义上是取代钽电解电容器的有力竞争对手。

  根据美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母C)温度系数的有效数字;第二位部分有效数字的倍乘(如0即为100);第三部分为随温度变化的容差(以ppm/℃表示)。这三部分的字母与数字所表达的意义如表。

  例如,C0G(有时也称为NP0)表示为:第一位字母C为温度系数的有效数字为0,第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1,第三位字母G为随温度变化的容差为30ppm/℃,即030ppm/℃;C0H分别表示为:第一位字母C为温度系数的有效数字为0,第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1,第三位字母H为随温度变化的容差为60ppm/℃,即060ppm/℃;S2H则分别表示为:第一位字母S为温度系数的有效数字为3.3,第二位数字2为有效温度系数的倍乘为102=100,第三位字母H为随温度变化的容差为60ppm/℃,即-33060ppm/℃

  第一类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化,下面以C0G介质为例。C0G介质的变化量仅030ppm/℃,实际上C0G的电容量随温度变化小于030ppm/℃,大约为030ppm/℃的一半

  根据美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母X)最低工作温度;第二位部分有效数字为最高工作温度;第三部分为随温度变化的容差(以ppm/℃表示)。这三部分的字母与数字所表达的意义如表。

  其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差15%;

  X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差15%;

  Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%15%。

  Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%,

  Y5V介质电容器的电容量随直流偏置电压变化非常大,从无偏置时的100%电容量下降到额定电压下的直流偏置电压时得不到额定电容量的25%,也就是说10F的电容量在额定电压时仅为不到2.5F!在高温时由于电容量已经下降到很低,所以这时的电容量随直流偏置电压的变化不大。

  X7R介质电容器的电容量随直流偏置电压变化虽比较大,但是比Y5V好得多。

  相对而言,C0G的ESR比较低,故可以承受比较大的电流,相应的所允许施加的交流电压相对比较大;

  X7R、X5R、Y5V、Z5U则ESR相对比较大,可承受比C0G要小,与此同时,由于电容量远大于C0G,故所施加的电压将远小于C0G。

  当加载频率相对较低时,即使加载交流电压为额定交流电压时,流过电容器的电流低于额定电流时,电容器允许加载额定交流电压,即左图的平直部分;

  当加载频率升高到即使加载电压没有达到交流额定电压时的电容器中流过的交流电流已达到额定电流值,这是需要降低电容器的加载交流电压,以保证流过电容器的电流不超过额定电流值,即左图的曲线开始下降部分;

  而加载频率继续上升,电容器的损耗因数而导致的发热则成为电容器的加载电压的主要限制因素,这是加载电压将随频率的上升而急剧下降,即中左图的曲线急剧下降部分。

  与加载交流电压正相反,电容器加载的交流电流在频率较低时即使电流没有达到额定电流,但电容器上的交流电压已达到其额定值,这是加载的交流电流受电容器的额定电压限制,特行为加载交流电流随频率的增加而上升,如图右图中的电流随频率增加而上升的那部分曲线。

  当加载频率上升到即使电容器上的交流电压没达到额定电压时加载的交流电流已经达到额定电流值这时加载交流电流须保持在不高于额定电流值。入伙电容器的损耗因素造成的发热开始起比较明显的作用,则加载电流必须降额,如图的右图中电流随频率上升而下降的那部分曲线。

  第二类介质陶瓷电容器由于电容量相对第一类介质电容器大得多,博狗bodog平台,对于用于滤波的F级的陶瓷电容器通常的加载交流电压在1V以下,不可能加载到额定交流电压值。因此第二类介质电容器大多讨论所允许加载的纹波电流电流。

  贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件,生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。博狗开户网址。在使用过程中我们也经常会遇到各种各样的问题,博狗娱乐网带给我们不小的影响,下面主要针对的是贴片电容失效的情形,分析其产生的原因以及对此应对的办法,希望能够帮助到大家能够更加快速有效的解决这类的问题。

  贴片陶瓷电容器作常见的失效是断裂,这是贴片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的.由于贴片陶瓷电容器直接焊接在电路板上,直接承受来自于电路板的各种机械应力,而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力.因此,对于贴片陶瓷电容器来说,由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是贴片陶瓷电容器断裂的最主要因素.

  陶瓷贴片电容器机械断裂后,断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压,会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏陶瓷贴片电容器,机械断裂后由于电极间放电的陶瓷贴片电容器剖面显微结构如下图:

  上图是机械断裂后由于电极间放电的陶瓷贴片电容器剖面显微结构对于陶瓷贴片电容器机械断裂的防止方法主要有:尽可能的减少电路板的弯曲、减小陶瓷贴片电容器在电路板上的应力、减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。

  如何减小陶瓷贴片电容器在电路板上的应力将在下面另有行进叙述,这里不再赘述.减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓,如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装,如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决.也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。

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影响PCB的特性阻抗因素及对策

  印刷电路板工业依附整个电子工业也会随势而涨.而且超过20%的增长速度。世界电子工业领域发生的技术革命和产业结构变化.正为印刷电路的发展带来新的机遇和挑战。博狗bodog平台

  我国正处在以经济建设为中心和改革开放的大好形势下,博狗德州扑克官网。电子工业的年增长率会超过20%,印刷电路板工业依附整个电子工业也会随势而涨.而且超过20%的增长速度。世界电子工业领域发生的技术革命和产业结构变化.正为印刷电路的发展带来新的机遇和挑战。印刷电路随着电子设备的小型化、博狗娱乐网数字化、高频化和多功能化发展.作为电子设备中电气的互连件PCB中的金属导线,己不仅只是电流流通与否的问题.而是作为信号传输线的作用。也就是说.对高频信号和高速数字信号的传输用PCB的电气测试.不仅要测量电路(或网络)的通、断和短路等是否符合要求,博狗娱乐网而且还应该测量特性阻抗值是否在规定的合格范围内。只有这两方向都合格了.印刷板才符合要求。

  印刷电路板提供的电路性能必须能够使信号传输过程中不发生反射现象,信号保持完整,降低传输损耗,起到匹配阻抗的作用,这样才能得到完整、可靠、博狗娱乐网精确,无干扰、噪音的传输信号。本文就实际中常用的表面微带线结构多层板的特性阻抗控制的问题进行讨论。

  表面微带线的特性阻抗值较高并在实际中广泛采用,它的外层为控制阻抗的信号线面,它和与之相邻的基准面之间用绝缘材料隔开。

  t:印刷导线)可以看出,影响特性阻抗的主要因素是:(1)介质常数r;(2)介质厚度h;(3)导线)导线厚度t等。因而可知,特性阻抗与基板材料(覆铜板材)关系是非常密切的,故选择基板材料在

  材料的介电常数是材料的生产厂家在频率为1 MHz下测量确定的。不同生产厂家生产的同种材料由于其树脂含量不同而不同。本研究以环氧玻璃布为例.研究了介电常数与频率变化的关系。

  介电常数是随着频率的增加而减小,所以在实际应用中应根据工作频率确定材料的介电常数,一般选用平均值即可满足要求。信号在介质材料中传输速度将随着介质常数增加而减小。因此要获得高的信号传输速度必须降低材料的介质常数。同时要获得高的传输速度就必须采用高的特性阻值,而高的特性阻抗必须选用低的介质常数材料。

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基于阻抗特性的传感器在实际技术中的应用

  实际应用中的电路元件要比理想电阻复杂得多,并且呈现出阻性、容性和感性特性,它们共同决定了阻抗特性。阻抗与电阻的不同主要在于两个方面。首先,阻抗是一种交流(AC)特性;其次,通常在某个特定频率下定义阻抗。如果在不同的频率条件下测量阻抗,会得到不同的阻抗值。通过测量多个频率下的阻抗,才能获取有价值的元件数据。这就是阻抗频谱法(IS)的基础,也是为许多工业、仪器仪表和汽车

  电子元件的阻抗可由电阻、电容或电感组成,更一般的情况是三者的组合。可以采用虚阻抗来建立这种模型。电感器具有的阻抗为jωL,电容器具有的阻抗为1/jωC,其中j是虚数单位,ω是信号的角频率。采用复数运算将这些阻抗分量组合起来。阻抗的虚数部分称为电抗,总表达式为Z=R+jX,其中X为电抗,Z表示阻抗。当信号的频率上升时,容抗Xc降低,而感抗XL升高,从而引起总阻抗的变化,阻抗与频率呈函数关系。纯电阻的阻抗不随频率变化。。

  为了检测元件的阻抗,在以不同的频率对器件进行扫描时,通常需要测量时域或频域的响应信号。测量频域响应信号一般采用模拟信号分析方法,例如交流耦合电桥,但是采用高性能模数转换器ADC),允许在时域采集数据,然后再转换到频域

  许多积分变换都可以用于将数据转换到频域,如傅里叶分析。这种方法就是取出信号的一系列时域信号表示,然后应用积分变换将其映射为频谱。博狗开户网址,采用这种方法可以给出任意两种信号之间关系的数学描述。在阻抗分析中感兴趣的是激励电流(元件的输入)和电压响应(元件的输出)之间的关系。如果系统是线性的,测得的时域电压和电流的各自傅里叶变换的比值就等于其阻抗,并且它可以表示成一个复数。这个复数的实数部分和虚数部分构成随后数据分析的关键部分。

  将复数形式转换成极坐标形式便可以得到在特定频率下响应信号的幅度和相位与激励信号的关系。

  其中R和X分别表示复数的实部和虚部。上面计算得到的幅度表示该元件在特定频率条件下的复数阻抗。在扫频的情况下,可以计算出每个频率点对应的复数阻抗。

  常用的方法是将产生的阻抗与频率的关系曲线作为数据分析的一部分。当频率在给定的范围内扫频时,奈奎斯特(Nyquist)图是在复数平面内以传递函数的实部和虚部为参数的曲线。如果图中的x轴表示实部,y轴表示虚部(注意:y轴取负数),就可以得到每个频率点的阻抗表示。换句话说就是,曲线上的每个点都代表了某个频率点的阻抗。可以从向量长度Z和该向量与x轴之间的夹角?计算出阻抗。图1为电阻器和电容器并联时的典型奈奎斯曲线。

  尽管奈奎斯曲线很常用,但是它不能给出频率信息,所以对于任何特定阻抗,都不可能知道采用的频率值是多少。因此,奈奎斯曲线通常要采用其它曲线来补充。另外一种常用的表示方法就是波特(Bode)图。在波特图中,x轴表示频率的对数,阻抗的幅度绝对值Z和相移都用y轴表示。因此波特图同时表示了阻抗与频率和相移与频率的关系。通常将奈奎斯曲线和波特图一起使用来分析传感器元件的传递函数。

  考虑一个基于阻抗特性的传感器,在正常条件下其电容、电感和电阻特性的组合会产生一个特定的阻抗信号。如果传感器周围环境的变化引起上述特性的任何变化,都会造成阻抗的改变。通过测量这种阻抗传感器随频率变化的特性,将会得到一系列新的阻抗特性。

  一种相当简单的方法就是将阻抗的测量值和预测值比较以便得出某种结论。这种工作原理的一个实例就是一种采用涡流原理的金属检测传感器。在位于传感器外壳的线圈中产生一个高频交流信号。该线圈产生的电磁场在导电靶中感应出涡流。反过来这个涡流与该传感器线圈相互作用,所以改变了其阻抗。

  测量随频率变化的线圈阻抗具有许多好处。因为材料的渗透率会影响线圈的阻抗,所以利用经验阻抗特性可得出一些有关金属类型的结论。采用这种方法还可以允许该阻抗特性传感器检测具有不同渗透率的金属。渗透率变化还可以用于测量金属压力,因为压力变化会改变渗透率,而渗透率的变化又会改变阻抗。波特图和奈奎斯曲线在检查传感器的频率响应方面是很有用的。测量大量频率点的阻抗比测量单个频率点的阻抗得到的结果更为精确,因为这有助于去除噪声。还可以通过在某些特定条件下测量电容分量和电感分量的频率响应确定最佳的工作频率点。

  将阻抗的测量值和其理想值相比较的方法可适用于许多基于阻抗特性能引起电阻、电容或电感变化原理的传感器技术。常见的应用范围包括从采用化学传感器的气体检测、基于电容特性的湿度传感器、游戏或食品业中的金属硬币或颗粒特征识别,到农业中的土壤监测。

  阻抗分析不仅仅包含简单地将阻抗响应特性与其理想特性相比较。阻抗频谱法(IS)通常用于表征系统以及获取有关系统的有价值信息。本文的目的是将系统从总体上定义为一个元件或者与电极有电接触的材料。这种接触可以是固体与固体(在许多化学传感器的情况下)或者固体与液体(当测量液体中某种成分的浓度时)之间的界面。采用IS可以得到有关元件本身和元件与电极之间界面的信息。

  IS的原理利用这样的事实:如果给界面施加很小的电位,它就会极化。界面极化的方式与当施加电位反转时极化改变的速度相结合,可以表征界面的特性。对于系统界面,例如吸附和反应速率常数、扩散系数和电容等信息都可以得到。对于元件本身,有关其介电常数、电导率、电荷均衡迁移率、各成分浓度以及大量生成率和复合率等信息都可以估计出来。

  系统或元件的等效电路模型是分析阻抗扫描所产生数据的基础。这种模型通常是所连接的电阻器、电容器和电感器的组合,以便模拟该系统的电特性。我们要找的模型要求在不同频率下其阻抗要与测得的阻抗特性相匹配。在理想情况下,模型的元件和互连方式的选择要用来表示特定的电化学特性,而且要符合该过程的物理特性。可以采用文献中已有的模型,也可以根据经验建立一种新模型。

  在根据经验建立模型的情况下,要在经验模型和测量数据之间找到最佳匹配。因为模型中的元件不一定总是符合电化学工艺的物理特性,所以可以单独构建模型以便得到最佳匹配。通过逐步增大或减小元件的阻抗直至得到最佳匹配,便可以建立起经验模型。通常根据非线性最小二乘法拟合(NLLS)原理来完成建模。借助于计算机,利用NLLS算法先初步估计模型参数,然后逐步改变每个模型参数,并评估产生的拟合结果。采用软件迭代处理直至找到可以接受的最佳拟合结果。

  数据分析和等效电路模型都应当非常小心的对待,而且要进行尽可能多的模型验证。虽然通过增加元件几乎总可以建立一个非常合适的模型,但是这样并不能认为它就代表了系统的电化学工艺。一般说来,经验模型应该采用尽可能少的元件,而且应当尽可能采用基于系统电化学工艺理论基础的物理模型。

  另外,通常可以建立具有相同阻抗特性的许多不同的经验模型。虽然可能得到一个很好的最小二乘法匹配模型,但仍然有可能得到不能代表该物理系统的不恰当模型。还有可能NLLS拟合算法对测量特性有部分遗漏或者没有收敛。这是因为很多算法都试图在整个频谱范围内优化拟合曲线,所以有可能漏掉了频谱中某些特定频率点上不好的拟合数据。

  腐蚀分析是采用IS法表征系统特性的常见应用,也是一个很好的实例。金属的腐蚀(例如铝和钢)是许多行业中的重大安全考虑因素。如果不重视的话,它会导致金属寿命过早结束。自动监视腐蚀的能力能显著节省成本,具有安全和可靠性优势,而且有助于最佳化预防性地维护系统。

  除了确定腐蚀的程度,通过监测腐蚀的速率还有可能预测金属疲劳。产生金属疲劳后,在小裂缝出现的地方会从有弹性变为没有弹性。这些裂缝是新的,但是腐蚀速率相当地快,而且裂纹扩展的速率以及随后的腐蚀代表了金属疲劳的程度。早期鉴定腐蚀的方法,特别是在很难达到且无法看到的位置,可以防止或者减慢严重腐蚀的破坏。它还可以用于帮助在现实条件下鉴定不同的保护涂层。

  下面是根据物理学知识和腐蚀期间发生的电化学工艺过程建立的一种腐蚀过程等效电路模型。常用于腐蚀监视的等效电路用一个电阻器(Rp)和电容器(Cp)相并联再与一个电阻器Rs相串联表示。

  在模型A中电阻器Rs表示金属所在的溶液,而电容Cc表示金属表面的保护涂层或涂料,这表示初始涂层的电容。经过一段时间后,水渗入涂层中形成新的液体和金属界面。随着金属的腐蚀,通过溶液与金属之间的保护涂层形成离子导电路径。这可以用Rx与Cc并联模型来表示。另外,有些模型(模型B)还有一个附加的R和C并联起来再与Rx串联的电路来表示金属保护涂层随着时间变化的分层模型。

  金属所在的溶液的电阻率或电导率通常是已知的或者很容易获得,所以可以得到Rs。还可以得到Cp的值,因为可以由保护涂层的介电常数(通常由厂商提供)及其覆盖的面积计算得到。然后就是求解RX以便确定腐蚀的程度。通常通过曲线拟合算法得到测量阻抗特性数据的最佳拟合来解决这个问题。波特图也是很常用的方法,它根据其阻抗频率响应和相位频率响应来检测腐蚀传感器的特性。

  IS法不仅仅限于腐蚀分析,还可以用于表征多种电化学系统。例如,它可以用于优化燃料电池性能,预测电池健康状况,检查液体中某种成分的浓度以便确定其质量,还可以表征某种材料的电化学性能。

  等效电路模型一旦确定,就必须设计电子数据采集系统来完成频率扫描和获取数据。这通常是一项既复杂又费时的工作,需要不可或缺的电子学知识以便优化电路设计。

  设计的电路必须能在有用的范围内以要求的分辨率产生频率扫描。在许多电化学系统中必须避免采集到的数据受到电化学工艺本身的干扰。所以通常采用小的AC信号,并且还很重要的一点就是不能在系统中引入DC电位差,因为它会导致进一步的电化学反应。然后必须用ADC采集系统对激励频率的响应。在有些设计中需要两个ADC分别用于捕获激励信号和响应信号。这是很复杂的,因为需要两个ADC同步采样以便检测出信号之间的相位变化。

  AD5933就是一种典型的集成电路芯片,它提供可编程频率扫描发生器和集成的ADC,该ADC可以与激励频率一起工作来获取响应信号。另外,整个系统必须保持线性。换句话说就是系统的总带宽必须足够而且信号大小也要足够才能得到好的测量结果,但是信号又不能太大以至于超过ADC或其它元件的量程而引起失真。因为待测元件阻抗范围通常未知,所以通常最开始需要做一些反复试验来优化系统并且确保它的线性特性。将响应信号转换为数字形式后,通常将数字信号送入计算机进行下一步的分析。

  最新的解决方案,例如AD5933,在送给计算机进行处理之前提取了响应信号的实部和虚部,在芯片内完成了大量的分析。这样大大减轻了计算机的运算负担,并且提高了数据采集的质量,因为模拟信号处理电路经过优化与其它的功能模块配合工作。应当特别注意的是,在使整个系统保持线性的同时,模拟信号的测量结果要经过验证,否则尽管计算机能轻易提供4位或高于4位的精度,最终结果还是会有偏差。精心的系统设计和验证以获得有效的测量是提高最终结果精度的关键。

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  业内预测,随着物联网产业发展,未来10年,物联网传感器市场规模将增逾300%。 这其中,亚太地区年…

  亿联网络今日正式更新了亿联云视讯,以更高性能和新的会议功能,带来更出类拔萃的云视频会议系统。新推出的…

  智能检测系统广泛应用于各类产品的设计、生产、使用、维护等各个阶段,对提高产品性能及生产率、降低生产成…

  2015年开始,以集成微系统任务需求为牵引,通过问题定位、技术分解,确立了基于PZT材料的MEMS微…

  莱姆采用专利创新技术于此新型传感器上,在数字领域中处理最大信号,新型磁通门技术架构消除磁通门驱动频率…

  值得注意的是,全球医疗保健的转型驱使MEMS超声波换能器(CMUT和PMUT)和气体传感器进入新应用…

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  设计与分析三维刚体机械(如车辆平台和机械臂)和执行机构动力组件(如机电或流体系统)。您可以将 URD…

  智能手表本质上是一个依赖各种传感器的产品 监测睡眠、监测心率、运动提醒、GPS定位 由传感器开启的这…

  在仪器仪表系统中,常常需要将检测到的连续变化的模拟量如:温度、压力、流量、速度、光强等转变成离散的数…

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  中国传感器的市场近几年一直持续增长,传感器应用四大领域为工业及汽车电子产品、通信电子产品、消费电子产…

  农业物联网,即通过各种仪器仪表实时显示或作为自动控制的参变量参与到自动控制中的物联网,可以为温室精准…

  举一个例子:机器人在运动过程中,突然,面前跑来一个人,撞上了。此时,系统(传感器)检测到撞上人就需要…

  随着工业机器人技术的不断发展,机器人不再只是那个搬运重物的工具,传感器技术的应用,让工业机器人变得智…

  前面我们了解了几种主要的测距/距离传感器的原理及特点,其中,激光测距传感器因其抗干扰能力强,精度高的…

  据市场研究机构MarketsandMarkets的一份最新报告,全球物联网传感器市场在2018年至2…

  作为家喻户晓的手机厂商,大家对诺基亚可谓情有独钟,随着众多科技巨头开始研发自主黑科技新品,连传统手…

  电容器是一种容纳电荷的元器件,单位有F,μF,MF,nF,pF。其中m代表1/1000,u代表1/1…

  日系手机偶尔总有惊人之举,在夏普推出近乎无边框的AQUOS CRYSTAL系列之后,松下又在德国科隆…

  要实现真正的自动驾驶,把车和周围一切连接在一起靠的就是V2X,而C-V2X是其中更有前途的一种。

  西交王迪博士从科研角度分析了传感器布置问题,而在本篇内容中,智能网联汽车架构工程师史高拔为我们分析了…

  新一代半导体激光气体传感器国产芯片已具备大规模量产条件,目前已制作成激光器。

  传感器、大数据、机器学习、人工智能和机器人是怎样拧在一起了呢?在人工智能时代硬件和软件是共生演化的,…

  DRV5033器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测量能力。 DRV5033对磁场两极方向的响应相同。当应用的磁通量密度超过B OP 阈值时,DRV5033开漏输出变为低电平。输出将保持低电平,直到磁通量密度降至B RP 以下之后变为高阻抗。输出灌电流能力为30mA。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.5至38V)使得此器件广泛适用于各种工业信号。 该器件提供针对反向电源情况,负载突降以及输出短路或过流故障的内部保护功能。 特性 数字全极开关霍尔传感器 出色的温度稳定性 在温度范围内B OP ±10% 多种灵敏度选项(B OP /B RP ): ±3.5 /±2mT(FA,请参见) ±6.9 /±3.5mT(AJ,请参见) 检测南北磁场 支持宽电压范围 2.5V至38V 无需外部稳压器 宽运行电压范围 T A = -40至125°C(Q,请见)开漏输出(30mA灌电流) 35μs快速上电时间 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT )-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚TO-92(LPG) 4.00 mm×3.15mm 保护特性 反向电源保护(高达-22V…

  LM95214器件是一款11位数字温度传感器,具有2线系统管理总线(SMBus)接口,可以非常准确地监控4个远程控制器的温度以及它自己的温度。四个远程二极管可以是外部设备,例如微处理器,图形处理器,其目标是2N3904晶体管或二极管连接的2N3904的理想性。 LM95214以+ 127.875°C /-128°C范围和0°C /255°C范围报告两种不同格式的温度。 LM95214 TCRIT1 , TCRIT2 和当任何未屏蔽的通道超出其相应的可编程限制时,触发TCRIT3 输出,并可用于关闭系统,打开系统风扇或微控制器中断功能。 TCRIT1 , TCRIT2 和 TCRIT3 引脚。掩码寄存器可用于进一步控制 TCRIT 输出。 两个LM95214远程温度通道具有可编程数字滤波器,而另外两个远程通道使用故障队列,以在遇到温度峰值时最小化不需要的 TCRIT 事件。 为获得最佳灵活性和准确性,每个LM95214通道都包含用于校正偏移的寄存器。三电平地址引脚允许将最多3个LM95214连接到同一个SMBusmaster。 LM95214具有省电功能,例如:可编程转换速率,关断模式和禁用未使用的通道。 特性 准确感知4个远程IC或二极管结的温度和局部温度 局部温度精度±2….

  TMP464器件是一款使用双线 C兼容接口的高精度低功耗温度传感器。除了本地温度外,还可以同时监控多达四个连接远程二极管的温度区域。聚合系统中的温度测量可通过缩小保护频带提升性能,并且可以降低电路板复杂程度。典型用例为监测服务器和电信设备等复杂系统中不同处理器(如MCU,GPU和FPGA)的温度。该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子,可编程偏移和可编程温度限值等高级特性完美结合,提供了一套精度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 四个远程通道(以及本地通道)均可独立编程,设定两个在测量位置的相应温度此外,还可通过可编程迟滞设置避免阈值持续切换。 TMP464器件可提供高测量精度(0.75°C)和测量分辨率(0.0625°C) 。该器件还支持低电压轨(1.7V至3.6V)和通用双线制接口,采用高空间利用率的小型封装(3mm×3mm),可在计算系统中轻松集成。远程结支持-55°C至+ 150°C的温度范围.TMP464的预编程温度限制为125°C。 特性 4 通道远程二极管温度传感器本地和远程精度:±0.75°C(最大值) 温度分辨率:0.0625°C 电源和逻辑电压范围:1.7V 至 3.6V 43µA 工作电流(…

  LM95213是一款11位数字温度传感器,带有2线系统管理总线(SMBus)接口,可监控两个远程二极管的温度以及它自己的温度。 LM95213可用于非常精确地监控多达两个外部设备的温度,如微处理器,图形处理器或二极管连接的2N3904。 LM95213以+ 127.875°C /-128°C范围和0°C /255°C范围报告两种不同格式的温度。 LM95213 TCRIT1 , TCRIT2 和当任何未屏蔽的通道超出其相应的可编程限值时,将触发TCRIT3 输出,并可用于关闭系统,打开系统风扇或作为微控制器中断功能。 TCRIT1 , TCRIT2 和 TCRIT3 引脚。掩模寄存器可用于进一步控制 TCRIT 输出。 LM95213的远程温度通道具有可编程数字滤波器,可最大限度地减少不需要的 TCRIT 事件。 为了获得最佳的灵活性和准确度,每个LM95213通道都包含用于定位2N3904以外的二极管的偏移校正寄存器。三级地址引脚允许将最多3个LM95213连接到同一个SMBus主机。 LM95213具有省电功能,例如:可编程转换速率,关断模式和关闭未使用的通道。 特性 准确感知2个远程IC或二极管结的温度和局部温度 0.125°C LSb温度分辨率 0.03125°C LSb远程温度…

  DRV5023-Q1器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测解决方案。 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,DRV5023-Q1开漏输出将会转低。输出将保持低电平,直到磁通量密度降至B RP 以下之后变为高阻抗。输出灌电流能力为30mA。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.7至38V)使得此器件广泛适用于各种汽车应用。 该器件提供针对反向电源情况,负载突降以及输出短路或过流故障的内部保护功能。 特性 数字单极性开关霍尔传感器 符合汽车类应用的AEC-Q100标准 1级:T A = -40至125°C(Q,请参见器件命名规则) 0级:T A = -40至150°C(E,请参见器件命名规则) 反向输出选项(FI) 出色的温度稳定性 温度范围内的灵敏度为±10% 多个灵敏度选项(B OP /B RP ): 3.5 /2 mT(FA,FI,请参见器件命名规则) 6.9 /3.2 mT(AJ,请参见器件命名规则) 14.5 /6 mT(BI,请参见器件命名规则) 支持宽电压范围 2.7V至38V 无需外部稳压器

  开漏输出(30mA灌电流) 35μs快速上电时间 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小…

  DRV5053-Q1器件是一款斩波稳定霍尔IC,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测解决方案。 0V至2V模拟输出可对施加的磁感应强度做出线性响应,并且能够辨别磁场方向的极性。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.7V至38V)使得此器件适用于广泛的汽车和消费类应用。 针对反向电源情况,负载突降和输出短路或过流提供内部保护功能。 特性 线性输出霍尔传感器 符合汽车应用要求的AEC-Q100标准 1级:T A = -40至125°C(Q,请见) 0级:T A = -40至150°C( E,请见) 出色的温度稳定性 温度范围内的灵敏度为±10% 高灵敏度选项: -11mV /mT(OA,请见) -23mV /mT(PA) -45mV /mT (RA) -90mV /mT(VA) + 23mV /mT(CA) + 45mV /mT(EA)支持宽电压范围 2.7V至38V 无需外部稳压器 放大的输出级 2.3mA灌电流,300μA拉电流 输出电压:0.2V至1.8V B = 0mT,OUT = 1V 快速上电:35μs 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT)-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚统一封装(SIP)(LPG)…

  DRV5013 器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测 解决方案。 磁场由数字双极锁存输出表示。该集成电路 (IC) 配有一个灌电流能力达 30mA 的漏极开路输出级。反向极性保护高达 -22V 的宽工作电压范围(2.5 至 38V)使得此器件广泛适用于各种工业 应用。 提供针对反向电源情况、抛负载和输出短路或者过流的内部保护功能。 特性 数字双极锁存霍尔传感器 出色的温度稳定性 在温度范围内B OP ±10% 多种灵敏度选项(B OP /B RP ) 1.3 /-1.3mT(FA,请参见) 2.7 /-2.7mT(AD,请参见) 6 /-6mT( AG,请参见) 12 /-12mT(BC,请参见) 支持宽电压范围 2.5V至38V白血病 至125°C(Q,请见) 开漏输出(30mA灌电流) 35μs短暂上电时间小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT)-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚TO-92(液化石油气) 4.00mm×3.15mm 保护特性 反向电源保护(高达-22V) 支持高达40V负载 输出短路保护 输出电流限制 应用 电动工具 流量计 阀门和螺线管状态 无刷直流电机 接近感…

  DRV5053器件是一款斩波稳定霍尔IC,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测解决方案。 0V至2V模拟输出可对施加的磁感应强度做出线性响应,并且能够辨别磁场方向的极性。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(至38V)使得此器件适用于广泛的和消费类应用。 针对反向电源情况,负载突降和输出短路或过流提供内部保护功能。 特性 线性输出霍尔传感器 出色的温度稳定性 温度范围内的灵敏度为±10% 高灵敏度选项: -11mV /mT(OA,请见) -23mV /mT( PA) -45mV /mT(RA) -90mV /mT(VA) + 23mV /mT(CA) + 45mV /mT(EA) 支持宽电压范围 至38V 无需外部稳压器 放大的输出级 2.3mA灌电流,300μA拉电流 输出电压:0.2V至1.8V B = 0mT,OUT = 1V 快速上电:35μs 小型封装尺寸表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT)-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚系统级封装(SIP)(LPG) 4.00mm×3.15mm 保护特性反向电源保护(高达-22V) 支持高达40V抛负载 输出短路保护 应用 流量计 对接调整 振动校正 减震…

  PGA400-EP是一个针对压阻,应变仪和电容感测元件的接口器件。此器件组装有直接连接至传感元件的模拟前端并带有电压稳压器和振荡器。此器件还包括三角积分模数转换器,8051 WARP内核微处理器和OTP内存。传感器补偿算法可由软件执行.PGA400-EP还包括2个DAC输出。 特性 模拟特性 针对阻性桥式传感器的模拟前端 针对

  电容传​​感器的自振荡解调器 片上温度传感器 可编程增益 用于信号信道的16位,1MHz三角积分模数转换器 用于温度信道的10位,三角积分模数转换器 两个12位数模转换器(DAC)输出 数字特性 微控制器内核10MHz 8051 WARP核心每个指令周期2个时钟片载振荡器 内存8KB一次性可编程(OTP)内存89字节EEPROM 256字节数据SRAM 外设特性 串行外设接口(SPI™)

  内置集成电路(I 2 C™) 一线制接口 两个输入捕捉端口 两个输出比较端口 软件安全装置定时器 振荡器安全装置 电源管理控制 模拟低压检测

  一般特性 电源:4.5V至5.5V可操作,-5.5V至16V绝对最大值 塑料超薄四方扁平无引线封装 支持工业感测应用 受控基线 一个组装和测试场所 一个制造场…

  DRV5033-Q1器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测功能。 DRV5033-Q1对磁场两极方向的响应相同。当应用的磁通量密度超过B OP 阈值时,DRV5033-Q1开漏输出变为低电平。输出将保持低电平,直到磁通量密度降至B RP 以下之后变为高阻抗。输出灌电流能力为30mA。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.7至38V)使得此器件广泛适用于各种汽车信号。 该器件提供针对反向电源情况,负载突降以及输出短路或过流故障的内部保护功能。 特性 数字全极开关霍尔传感器 符合汽车类应用的AEC-Q100标准 1级:T A = -40至125°C(Q,请见) 0级:T A = -40至150° C(E,请见) 出色的温度稳定性 在温度范围内B OP ±10%

  多种灵敏度选项(B OP /B RP ): ±3.5 /± 2mT(FA,请参见) ±6.9 /±3.5mT(AJ,请参见) 检测南北磁场 支持宽电压范围 2.7V至38V 无需外部稳压器 开漏输出(30mA灌电流) 35μs快速上电时间 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT)-23(DBZ)

  DRV5023器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测解方法。 当应用的磁通量密度超过B OP 阈值时,DRV5023开漏输出变为低电平。输出将保持低电平,直到磁通量密度降至B RP 以下之后变为高阻抗。输出灌电流能力为30mA。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.5至38V)使得此器件广泛适用于各种工业信号。 该器件提供针对反向电源情况,负载突降以及输出短路或过流故障的内部保护功能。 特性 数字单极性开关霍尔传感器 出色的温度稳定性 温度范围内的灵敏度为±10% 多个灵敏度选项(B OP /B RP ): 3.5 /2mT(FA,请参见) 6.9 /3.2mT(AJ,请参见) 14.5 /6mT(BI,请参见)支持宽电压范围 2.5V至38V 无需外部稳压器 宽运行电压范围 T A = -40至125°C(Q,请见) 开漏 小型封装尺寸DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚TO-92(LPG) 4.00mm×3.15mm 保护特性 反向电源保护(高达-22V) 支持高达40V抛负载 输出短路保护 输出电流限制 应用 对接检测 门开关检测 接近感测 阀定位 脉冲计数 所有商…

  PGA900是一款面向电阻式检测应用的信号调节器。该器件适用于多种检测元件类型.PGA900通过两个模拟前端通道对其输入信号可以执行线性化,温度补偿及其他用户定义的补偿算法。经调节的信号可以三线制比例电压,绝对电压,二线mA电流回路或PWM的形式输出。该器件还可以通过SPI,I 2 C,通用异步收发器(UART)和2个通用输入输出(GPIO)端口访问数据和配置寄存器。此外,凭借独特的OWI,该器件可以通过电源引脚进行单线通信和配置,无需使用额外线°C至+ 150°C。 特性 高精度,低噪声,低功耗,小尺寸阻性传感器信号调节器 用户可编程的温度和非线性补偿 片上ARM ® Cortex ® M0微处理器,允许用户开发和实现校准补偿标定算法单线接口,支持通过电源引脚进行通信,无需使用额外线V的宽电源电压范围 工作温度范围:-40 °C至+ 150°C 存储器 8kB软件存储器 128字节EEPROM 1kB数据SRAM传感器灵敏度可调节范围:1mV /V至135mV /V 两个独立的模拟前端(AFE)链,每个链包括:

  PGA300器件提供了一个适用于压阻式和应力计压感元件的接口。该器件具有可编程模拟前端(AFE),模数转换器(ADC)和数字信号处理功能。这是一套完整的片上系统(SoC)解决方案,可直接连接传感元件。此外,PGA300器件还集成了稳压器和振荡器,最大程度地减少了解外部组件数。该器件采用三阶温度和非线性补偿实现高精度。凭借单线制串行接口(OWI),可以通过电源引脚实现外部通信,从而简化系统校准过程。集成DAC支持绝对电压,比例电压以及4mA至20mA的电流回路输出。 特性 模拟特性 适用于阻性桥式传感器的模拟前端 传感器灵敏度可调节范围:1mV /V至135mV /V 片上温度传感器 可编程增益 适用于信号通道的16位Σ-Δ模数转换器 适用于温度通道的16位Σ-Δ模数转换器 14位输出数模转换器(DAC) 数字特性 整个温度范围内的FSO精度< 0.1% 系统响应时间< 220μs 三阶偏移,增益和非线性温度补偿 诊断功能 集成EEPROM用于存储器件操作,校准数据和用户数据 外设特性 单线接口,可通过电源引脚进行通信,无需额外使用线mA电流回路接口 比例电压输出和绝对电压输出 电源管理控制 模拟低压检测 …

  LMP93601是一款经优化的模拟前端(AFE),此模拟前端用于检测热电堆阵列(高达16 x 16)的占用情况,以及热电堆质量流量传感器。此AFE以非常适合于监控热电堆传感器的采样速率将出色噪声性能,低偏移电压,高增益和低功耗组合在一起。 LMP93601是一款采用超薄四方扁平无引线位,模数转换器(ADC)。此器件特有三个差分抗EMI输入,一个低噪声,高增益可编程增益放大器( PGA),一个电平位移电压源,一个内部基准和一个可编程采样速率.LMP93601通过一个SPI兼容接口实现的很多集成特性和简单控制简化了热电堆传感器信号的高精度测量。特性 高增益,高达4096可编程 低增益误差漂移,< 10ppm /°C 低偏移电压和漂移; 1uV,50nV /°C 低输入偏置电流,1.3nA 低输入偏移电流,120pA 针对电平位移的VCM输出信号,AVDD /3 三个差分抗电磁干扰(EMI)输入 16位三角积分(ΔΣ)模数转换器 低噪声性能,有效位数(ENOB)15.3位 四输出数据速率,高达1.3kSPS 针对ADC的零部件检测 li>

  单独的模拟和数字电源,2.7至5.5V 低流耗,1.1mA 低功率关断模式,&…

  PGA411-Q1器件是一款集成有激励器放大器和升压稳压器电源的旋转变压器数字转换器,能够激励和读取旋转变压器传感器上的正弦角和余弦角。凭借集成的激励器放大器和带保护的升压电源,PGA411-Q1器件消除了对大多数外部组件和无源组件的需求,从而降低了物料清单(BOM)成本并减小了在印刷电路板(PCB)上占用的空间。 此外,PGA411-Q1器件还可通过内部时钟生成正弦波,用以激励传感器。凭借模拟前端(AFE)的架构,用户能够获得10位或12位分辨率的角位置和速度输出.PGA411-Q1器件的高集成度还体现在为每个内部模块提供了相关诊断和保护。集成的诊断监视器可通过专用引脚将故障条件以中断信号形式发送给MCU。这些特性提升了旋变传感器选择方面的灵活性以及平台可扩展性。此外,PGA411-Q1是根据ISO 26262标准的要求设计的,适合功能安全应用。 特性 符合汽车应用标准 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件人体模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM) ESD分类等级C4B 旋转变压器数字转换器(RDC) 激励器前置放大器和功率放大…

  OPT3007是一款用于测量人眼可见光强度的单芯片照度计.OPT3007采用超小型PicoStar封装,因此该器件适用于狭小空间。 OPT3007具有固定的寻址方案,使该器件仅在连接四个引脚的情况下即可工作。因此,PCB设计人员能够针对主动传感器区域设计更大的开口。 传感器的精密光谱响应与人眼的明视响应高度匹配.OPT3007具有强烈的红外(IR)阻隔作用,在所有光源条件下均可测量人眼的可见光强度。对于需要将传感器安装在深色玻璃下的设计而言,这种红外阻隔功能还有助于保持高精度.OPT3007通常与背光IC或照明控制系统配合使用,能够为用户构建基于光的各项体验,可作为光电二极管,光敏电阻或低性能环境光传感器的理想替代产品。 凭借内置的满量程设置功能,无需手动选择满量程范围即可在0.01 lux至83k lux范围内进行测量。此功能允许在23位有效动态范围内进行光测量。 数字操作可灵活用于系统集成。测量既可连续进行也可单次触发。数字输出通过兼容I2 C和SMBus的双线制串行接口进行报告。 特性 采用精密光学滤波,以与人眼匹配: 可阻隔99%(典型值)以上的红外线( IR) 自动满量程设置功能 测量范围:0.01 Lux至83,000 L…

  PGA970器件是一款具有高级信号处理功能的高集成度片上系统。该器件配有一个三通道,低噪声,可编程增益模拟前端,允许直接连接感测元件,后接三个独立的24位Δ-ΣADC。 此外,该器件包含的数字信号解调模块可连接到集成的ARM-Cortex M0 MCU,从而执行器件非易失性存储器中存储的定制传感器补偿算法。该器件可使用SPI,OWI,GPIO或PWM数字接口与外部系统通信。模拟输出通过一个14位DAC和可编程增益放大器来提供支持,从而提供基准或绝对电压输出。感测元件激励通过集成的波形发生器和波形放大器来实现。波形信号数据根据用户自定义存储在指定的RAM存储区。

  除了主要的功能组件之外,PGA970器件还配有额外的支持电路,例如器件诊断,传感器诊断和集成型温度传感器。这些电路可共同为整个系统和感测元件提供保护及相关完整性信息。该器件还包含一个栅极控制器电路,可在系统电源电压超过30V时搭配外部耗尽型金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)一同调节器件电源电压。 特性 模拟特性 适用于线性可变差动变压器(LVDT)传感器的可编程增益模拟前端 激励波形发生器和放大器 具有幅值和相位解调器的双路2…

  DRV425专为单轴磁场感测需要快速切换频率的应用,而设计,可实现电气隔离式高灵敏度精密直流和交流磁场测量。该器件可提供独特且专有的集成磁通门传感器(IFG)。该传感器内置一个补偿线mT的高精度感测范围,测量带宽最高可达47kHz。该传感器的低偏移,低漂移,低噪声特性与内部补偿线圈的精确增益,低增益漂移和极低非线性度相结合,可提供无与伦比的磁场测量精度.DRV425输出与感测到的场强成正比的模拟信号。 DRV425提供了一组完整采用,包括内部差分放大器,片上精密基准以及诊断功能,能够最大限度地减少组件数量并削减系统级成本。 DRV425采用带有PowerPAD的耐热增强型,无磁性,超薄四方扁平无引线(WQFN)封装来实现优化散热,并且在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行 特性 高精度、集成磁通门传感器: 偏移:±8µT(最大值) 偏移漂移:±5nT/°C(典型值) 增益误差: 0.04%(典型值) 增益漂移:±7ppm/°C(典型值) 线nT/√Hz(典型值) 传感器范围:±2mT(最大值) 范围和增益可通过外部电阻进行调节 可选带宽:47kHz 或 32kHz 精密基准: 精度:2%(最…

  DRV421设计用于闭环磁流传感解决方案,可实现精密的隔离式直流和交流电流测量。该器件提供专有的集成磁通门传感器以及所需的模拟信号调节功能,从而最大限度减少组件数量和成本。磁通门传感器具有低偏移和漂移,再搭配上优化的前端电路,可提供无与伦比的测量精度。 DRV421提供驱动电流感测反馈环路所需的全部电路模块。传感器前端电路后跟一个滤波器,经配置可与各种磁芯搭配使用。该器件通过集成的250mA H桥来驱动补偿线圈,相比传统的单端驱动方式,可使电流测量范围扩大一倍。该器件同时提供精密基准电压和分流感测放大器,用以生成并驱动模拟输出信号。 特性 高精度,集成磁通门传感器 偏移和漂移:±8μT(最大值),±5nT /°C(典型值) 扩展电流测量范围 H桥输出驱动:5V时的典型值为±250mA 精密分流感测放大器 偏移和漂移(最大值):±75μV,±2μV/°C 增益误差和漂移(最大值):±0.3%,±5ppm /°C 精密基准 精度和漂移(最大值):±2%,±50ppm /°C 引脚可选电压:2.5V或1.65V 可选比例模式:VDD /2 磁芯消磁功能 诊断特性:超限和错误标志 电源电压范围:3.0V至5.5V 在-40°C至+125 °C…

  OPT3101器件是一种高速,高分辨率AFE,适用于基于飞行时间的连续波接近感应和测距。该器件集成了完整的深度处理管道,包括ADC,时序序列器和数字处理引擎。该器件还具有内置照明驱动器,可覆盖大部分目标应用供电的绝佳器件。 在高环境抑制比下,该器件可支持非常高的环境条件,包括130klux的全日照条件。 时序序列器具有高度可配置性,能够针对特定应用提供功耗与性能之间的折衷。 该器件提供包含相位,振幅和环境测量结果的深度数据。校准子系统支持相位数据校准,从而校准温度和串扰导致的不准确性 特性 接近感应和距离测量 与各种光电二极管和发射极兼容 在15毫不模糊的范围内具有16位距离输出 高达4kHz的采样率 200nA满标量程信号电流 1kHz时具有88dB信号相位动态范围 支持高达200μA的直流环境,60dB的环境抑制(1kHz时) 不依赖于物体反射率的距离测量 通过去混叠技术使距离范围扩展多达75m 由可编程序列发生器提供时序灵活性 自适应HDR节省功耗并扩展距离范围 可配置事件检测和中断输出机制 通过I 2 C接口实现控制和数据传输 集成照明驱动器,具有高达173.6mA的可编程电流控制能力 集成用于校准的温度传感器 内置串扰校…

  DRV401-Q1器件完全符合汽车应用要求并适用于电机控制驱动和电池监测系统。 与磁传感器搭配使用时,DRV401-Q1能够高精确度监测交流和直流电流。 可提供的功能包括:探头激励,探头信号的信号调节,信号环路放大器,补偿线圈的H桥驱动器和提供与初级电流成正比的输出电压的模拟信号输出级。它具有过载和故障检测功能,以及瞬态噪声抑制功能。 DRV401-Q1器件可直接驱动补偿线圈或与外部电源驱动器连接。因此,DRV401-Q1与传感器相结合,可用于测量各种大小的电流。 为维持最高精度,DRV401-Q1可在加电时根据需要对传感器进行去磁。 特性 汽车电子应用认证 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件人体模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级1C 器件带电器件模型(CDM) ESD分类等级C6 单电源:5V 电源输出:H桥 专为驱动电感负载而设计

  出色的直流精度 宽系统带宽 高分辨率,低温漂移 内置去磁系统 丰富的故障检测功能 外部高功率驱动器选项 紧凑型封装 所有商标均为其各自的商标拥有者。 参数 与其它产品相比 信号调节器   Operating Tem…

  DRV401设计用于控制和处理来自VACUUMSCHMELZE GmbH& Co.,Ltd。制造的特定磁流传感器的信号。 Co. KG(VAC)。提供各种电流范围和机械配置。结合VAC传感器,DRV401可以高精度地监控交流和直流电流。 提供的功能包括:探头激励,探头信号的信号调理,信号环路放大器,H桥驱动器补偿线圈和模拟信号输出级,提供与初级电流成比例的输出电压。它提供过载和故障检测以及瞬态噪声抑制。 DRV401可以直接驱动补偿线圈或连接到外部电源驱动器。因此,DRV401与传感器相结合,可以测量小到大的电流。 为了保持最高的精度,DRV401可以在上电和按需时对传感器进行消磁(消磁)。

  特性 专为VACUUMSCHMELZE(VAC)传感器设计 单电源:5 V 电源输出:H-Bridge 设计用于驱动感应负载 出色的DC精度 宽系统带宽 高分辨率,低温漂移 内置消磁系统 广泛的故障检测 外部高功率驱动器选项 应用 发电机/交流发电机监控和控制 频率和电压逆变器 电机驱动控制器 系统功耗 光伏系统 支持国防,航空和医疗应用 受控基线 一个装配/测试现场 一个制造现场

  PGA309是为电桥传感器设计的可编程模拟信号调节器。模拟信号路径可以放大传感器信号,并通过外加应力(压力,应变等) )为零,跨度,零漂移,跨度漂移和传感器线性化误差提供数字校准。通过1线线行业标准连接进行校准。校准参数存储在外部非易失性存储器(通常为SOT23) -5),无需手动修整并可以实现长期稳定性。 全部模拟信号路径包含一个2 x 2输入复用器(mux),自动归零可编程增益仪表放大器,线性化电路,电压基准,内部振荡器,控制逻辑和一个输出放大器。可编程电平位移对传感器直流偏移做出补偿。 PGA309的内核是精密,低漂移,无1 /f噪声前端PGA(可编程增益放大器)。前端PGA +输出放大器的总体增益可在2.7V /V至1152V /V之间进行调节。可通过输入复用器来切换输入的极性以使传感器适应未知的极性输出。故障监控电路检测并发出传感器烧断,过载,和系统故障状态信号。 要获得参考应用信息,请参阅商用器件“PGA309用户指南” (文献号:SBOU024),此文件可从内下载。 特性 完整的桥式传感器调节器 电压输出:成比例或绝对值 数字计算:无电位器/传感器调整 传感器误差补偿 跨度,偏移和温度…

  LMP91200器件是一种传感器AFE,适用于低功耗,分析传感应用。 LMP91200专为2电极传感器而设计。该器件提供了根据传感器的增量电压检测变化所需的所有功能。 LMP91200针对低功耗应用进行了优化,可在1.8 V至5.5 V的电压范围内工作。凭借其极低的输入偏置电流,它可优化用于pH传感器。此外,在没有电源电压的情况下,极低的输入偏置电流可以在连接到LMP91200时降低pH探头的劣化。两个保护引脚支持高寄生阻抗布线。根据配置,在测量pH时,器件的总电流消耗为50μA。 LMP91200采用16引脚TSSOP封装,工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 主动防护 主要规格除非另有说明,否则典型值为 T A = 25°C,V S =(VDD-GND)= 3.3 V pH缓冲器输入偏置电流(0…

  LMP91051是一款双通道可编程集成传感器模拟前端(AFE),针对热电堆传感器进行了优化,通常用于NDIR应用。它在传感器和微控制器之间提供完整的信号路径解决方案,产生与热电堆电压成比例的输出电压。 LMP91051的可编程性使其能够以单一设计支持多个热电堆传感器,而不是多个分立解决方案。 LMP91051具有可编程增益放大器(PGA),“暗相”偏移消除和可调节共模发生器(1.15V或2.59V),可增加输出动态范围。 PGA提供167V /V至1335V /V的低增益范围以及1002V /V至7986V /V的高增益范围,使用户能够利用具有不同灵敏度的热电堆。低增益漂移(20 ppm /°C),输出失调漂移(G = 1002 V /V时230 mV /°C),相位延迟漂移(300 ns)和噪声规格(0.1μVRMS0.1至10Hz)突出了PGA )。偏移消除电路通过向第二级的输入添加相等且相反的偏移来补偿“暗信号”,从而从输出信号中去除原始偏移。这种偏移消除电路可以优化ADC满量程的使用,并放宽ADC的分辨率要求。 LMP91051允许通过专用引脚A0和A1进行额外的信号滤波(高通,低通或带通)消除带外噪音。用户可以通过板载SPI接口进行编程。 LMP91051采用小尺寸1…

  DRV411被设计成针对闭环电流传感器模块内的使用来调节InSb霍尔元件.DRV411为霍尔元件提供精密激发电路,以有效消除霍尔元件的偏移和偏移 – 漂移。这个器件还提供一个250mA H桥来驱动传感器补偿线圈,以及一个精密差分放大器来生成输出信号。相对于传统单端驱动方法,H桥250mA的驱动能力几乎将电流测量范围加倍。 霍尔传感器前端电路和差分放大器采用已获专利的偏移消除技术。这些技术,与高精度电压基准一起,大大改进了整个电流传感器模块的精度。可通过引脚选择输出电压以在由5V电源供电时支持一个2.5V输出,以及用于3.3V传感器的1.65V输出。 为了实现最佳散热,DRV411采用具有PowerPad的耐热增强型4mm x 4mm QFN和TSSOP-20封装.DRV411可在-40°C至+ 125°C的完全扩展工业用温度范围内运行。 特性 针对对称霍尔元件进行了优化(例如,AKM HW-322,HW-302,或相似元件) 旋转电流霍尔传感器激发 霍尔传感器偏移和漂移的消除 1 /f噪声的消除 扩展电流测量范围 H桥驱动能力:250mA 精密差分放大器: 偏移和漂移:最大值100μV(最大值) 系统带宽:200kHz :0.2%(最大值) 漂移:50ppm /°C(最…